高性能正照平面型结构的InGaAs APD 光电二管芯片系列，具有高响应度、高增益、低暗电流、低噪声和高可靠性等特点，可用于人眼安全激光雷达等域。可提供APD 裸芯、TO 封装， 接受定制化服务开发。产品符合Telcordia-GR-468-CORE 可靠性要求。
光谱响应范围 0.9 ~1 .7 μm
光敏面直径 200μm
高响应度、低暗电流
高可靠性
使用注意事项
采取必要的ESD 防护措施，以避免静电损伤
InP 基的芯片易碎，取用时应注意操作，推荐用真空吸附工具
芯片光电参数
| 产品型号 | OVQT-A200M50 | |||||
| 参数 | 符号 | 单位 | 测量条件 | 小 | 典型 | 大 |
| 光敏面直径 | Φ | μm | - | 200 | ||
| 单位增益响应度 | Re | A/W | λ = 1.55μm, Pin = 1 μW | 0.95 | 1.05 | - |
| 增益 | M | - | VR =VBR -3V | 10 | 18 | - |
| 大增益 | Mmax | - | VR =VBR - 1V | 45 | 50 | - |
| 暗电流 | ID | A | VR =VBR -3V | - | 6.0 | 25 |
| 暗电流温度系数 | ΔTID | /℃ | VR=VBR-3V ，-40℃ ~85℃ | - | - | 1.1 |
| 电容 | Ct | F | VR =VBR-3V, f=1MHz | - | 2.0 | 2.5 |
| -3dB 带宽 | f-3dB | GHz | M=10, RL=50Ω | 0.4 | 1.4 | - |
| 反向击穿电压 | VBR | V | ID = 10μA | 30 | 42 | 80 |
| 击穿电压温度系数 | ƞ | V/°C | -40 ~ +85°C | 0.1 | - | 0.15 |
大绝对额定值
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
| 反向电流 | IR | 2 | mA |
| 正向电流 | IF | 10 | mA |
| 工作温度 | Tc | -40 ~ +85 | ℃ |
| 存储温度 | Tstg | -55 ~ +125 | ℃ |
典型特性曲线
芯片尺寸及结构图 um
更新时间：2023/11/5 12:14:40
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