筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二管。
我们有高速硅光电二管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二管的1800 nm。双波段光电二管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。
为了丰富我们的光电二管产品线，我们提供已安装的光电二管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器放置聚焦透镜或者针孔。
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 小 | 典型Typ. | 大 | 单位 |
| TIA工作电流 | ICC | Vcc=3.3V | - | 44 | 59 | mA |
| 反向击穿电压1） | VBR | ID=100μA | 35 | - | 55 | V |
| VBR温度系数 | σ | γ= dVBR/dTC | - | 0.1 | 0.15 | V/℃ |
| 差分跨阻 IRPD5521Y-155 IRPD5521Y-1.25 IRPD5521Y-2.5 |
ZT |
Pin=-30dBm， RL=100Ω, |
54 26 3.6 | kΩ | ||
| -3dB带宽 IRPD5521Y-155 IRPD5521Y-1.25 IRPD5521Y-2.5 |
f-3dB |
Pin=-30dBm | 100 1000 2000 | MHz | ||
| 响应度 | Re | M=1 , λ = 1.55μm | 0.85 | 0.95 | - | A/W |
| 输出阻抗 | ZO | Single ended | - | 50 | 70 | Ω |
| 灵敏度 IRPD5521Y-155A IRPD5521Y-155P IRPD5521Y-1.25A IRPD5521Y-1.25P IRPD5521Y-2.5A IRPD5521Y-2.5P | PS |
λ=1.55μm,NRZ, PRBS=223–1, BER=10-10, ER=10dB, V=Vop | -47 -39 -35 -28 -34 -26 | － | － | dBm |
| 过载功率 APD PIN |
PMAX |
-5 +3 | - | - | dBm | |
| 光回损 | Lo | λ = 1.55μm | - | - | -30 | dB |
| 备注：1）仅适用于APD探测器 | ||||||
大绝对额定值 T=25deg
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
| TIA电源电压 | VCC | 5 | V |
| APD反向电压APD | VAPD | VBR | V |
| APD/PD反向电流 | Ir | 2 | mA |
| APD/PD正向电流 | If | 2 | mA |
| 工作温度范围 | TC | -40 ~ +85 | ℃ |
| 贮存温度范围 | TSTG | -55 ~ +100 | ℃ |
更新时间：2023/11/5 12:14:22
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