铟镓砷PIN光电二管 感光面积φ3mm 封装TO-5
 

筱晓光子 铟镓砷 InGaAs PIN光电二管 φ3mm




总览

InGaAs 光电二管主要用于近红外探测,具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围(0.5 μm to 2.6 μm)等特点。

 
技术参数

产品特性
截止波长: 2.6μm
低成本
感光面积: φ3 mm
低噪声
高灵敏度
高可靠性
高速响应

 

产品应用

光功率计

气体分析

湿度计

近红外光度法

 

详细参数

感光面积 φ3mm
像元个数 1
封装 Metal
封装类型 TO-5
制冷方式 Non-cooled
光谱响应范围 0.9 to 2.6 μm
峰值灵敏度波长(典型值) 2.3 μm
灵敏度 (典型值) 1.3 A/W
暗电流 (大值) 100000 nA
截至频率(典型值) 0.8MHz
结电容(典型值) 4000 pF
噪声等效功率 (典型值) 3×10-12 W/Hz1/2
测量条件 Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=λp, Dark current: VR=0.5 V, Cutoff frequency: VR=0 V, RL=50 Ω,Terminal capacitance: VR=0 V, f=1 MHz.

 

光谱响应

460_1011_k_g12183_sr_xx.jpg

 

外形尺寸(单位:mm)

360截图20220627131749646.jpg

 






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InGaAs 光电二管主要用于近红外探测,具有高速、高灵敏度、低噪音、宽广普响应范围(0.5 μm to 2.6 μm)等特点。

 
技术参数

产品特性
截止波长: 2.6μm
低成本
感光面积: φ3 mm
低噪声
高灵敏度
高可靠性
高速响应

 

产品应用

光功率计

气体分析

湿度计

近红外光度法

 

详细参数

感光面积 φ3mm
像元个数 1
封装 Metal
封装类型 TO-5
制冷方式 Non-cooled
光谱响应范围 0.9 to 2.6 μm
峰值灵敏度波长(典型值) 2.3 μm
灵敏度 (典型值) 1.3 A/W
暗电流 (大值) 100000 nA
截至频率(典型值) 0.8MHz
结电容(典型值) 4000 pF
噪声等效功率 (典型值) 3×10-12 W/Hz1/2
测量条件 Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=λp, Dark current: VR=0.5 V, Cutoff frequency: VR=0 V, RL=50 Ω,Terminal capacitance: VR=0 V, f=1 MHz.

 

光谱响应

460_1011_k_g12183_sr_xx.jpg

 

外形尺寸(单位:mm)

360截图20220627131749646.jpg

 

更新时间:2023/11/5 12:14:31

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