760nm 单模垂直腔面发射激光器VCSEL TO39封装
 
总览

760nm单模垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有出光功率高,线宽窄以及良好的一致性等优点,2nm调谐范围,为可调谐半导体激光吸收光谱(TDLAS)应用而设计,内置防静电(ESD)保护.

760nm单模垂直腔面发射激光器VCSEL TO39,760nm单模垂直腔面发射激光器VCSEL TO39
 
中心波长
760nm 
 
输出功率
0.3mW 
 
技术参数

 

zui大额定值

2.5 mA激光正向电流

10 mA 反向电流

 

参数

符号

单位

zui小值

典型值

zui大值

条件

发射波长

λR

nm

759

760

761

T = 20°C, ITEC = 0, POP = 0.3 mW

阈值电流

ITH

mA

 

0.5

 

T = 20°C

输出功率

Popt

mW

0.3

   

T = 25°C

激光电流

IOP

mA

    2.0

2.0 Popt = 0.3 mW

激光电压

UOP

V

 

2.0

 

Popt = 0.3 mW

斜率效率

ηS

W/A

 

0.3

 

T = 20°C

差分串联电阻

RS

Ω

 

250

 

Popt = 0.3 mW

3db调制带宽

ν3dB

GHz

0.1

   

Popt = 0.3 mW (ESD保护二管)

波长调谐电流

 

nm/mA

 

0.6

   

波长超温调谐

 

nm/K

 

0.06

   

热阻(VCSEL芯片)

Rthermal

K/mW

3.0

 

5

 

边模抑制

 

dB

20

     

光束发散度

θ

°

10

 

25

Popt = 0.3 mW, 全宽 1/e2

集成TEC和热敏电阻集成TEC和热敏电阻

TEC电流

 

mA

    500

 

NTC热敏电阻

 

10

10

11

T = 25°C

NTC温度依赖性

 

     

10/exp[3892·(1/298K-1/Top)]

 

俯视图

 

22.png

 

尺寸:mm

1. 单模面射型激光(VCSEL)

2.  齐纳二管(Z-Diode)

3.  电热调节器 (Thermistor) 

 

 

QQ五笔截图未命名.png

 

 

QQ五笔截图未命名.png

QQ五笔截图未命名2.png

 

 

测试表

老化时间200h@80°C, 2mA

 

QQ五笔截图未命名3.png

 

 

123.png

 

更新时间:2023/11/5 12:14:40

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