Superluminescent Diodes (SLD) 超辐射发光二管 是介于激光器（LD）和发光二管（LED）之间的一种半导体光电器件,与激光二管类似，超辐射发光二管基于电驱动pn结，当正向偏置时，该pn结具有光学活性，并在宽波长范围内产生放大的自发发射。SLD的峰值波长和强度取决于活性材料成分和注入电流水平。SLD被设计为对沿着波导产生的自发发射具有高的单程放大，但与激光二管不同，反馈不足以实现激光作用。这是通过倾斜波导和防反射涂层刻面的共同作用非常成功地获得的。
SLD是具有相当宽的光学带宽的光源。它们不同于光谱非常窄的激光器和光谱宽度大得多的白色光源。这种特性主要反映在光源的低时间相干性上（这是发射的光波随时间保持相位的有限能力）。然而，SLD可能表现出高度的空间相干性，这意味着它们可以有效地耦合到单模光纤中。一些应用利用SLD源的低时间相干性来实现成像技术中的高空间分辨率。相干长度是一个经常用来表征光源的时间相干的量。它与光学干涉仪两臂之间的路径差有关，在该干涉仪上光波仍然能够产生干涉图案。
一方面，SLD是经过优化以产生大量放大自发发射（ASE）的半导体器件。为了做到这一点，它们结合了高功率增益部分，其中以30dB或更高的高增益因子放大种子自发发射。另一方面，SLD缺乏光学反馈，因此不可能发生激光作用。通过使小面相对于波导倾斜来抑制从光学部件（例如连接器）到腔中的光的背反射产生的光学反馈，并且可以通过抗反射涂层来进一步抑制。避免了共振器模式的形成，从而避免了光谱中明显的结构和/或光谱变窄。
产品特点:
超宽带ASE光谱(950-1050nm)
低纹波
强偏振
单独老化和热循环筛选
符合RoHS
应用:
光纤传感器
光谱学
| 规格 测试条件:连续工作，芯片温度25°C，外壳安装在室温散热器上 | |||||
| 参数 | 符号. | 小值. | 典型值. | 大值. | 单位 |
| 工作输出功率 | Pout | 15 | 25 | mW | |
| 平均波长 | λm | 985 | 1000 | 1015 | nm |
| 带宽 @ -3dB | Δλ | 80 | 100 | nm | |
| 谱倾角振幅 | 1 | 3 | dB | ||
| 基态大位置 | λg | 1015 | 1030 | 1045 | nm |
| 激发态大位置 | λe | 940 | 955 | 970 | nm |
| ASE谱波纹* | 0.02 | 0.3 | dB | ||
| 偏振消光比 | PER | 15 | 20 | dB | |
| 操作电流 | Iop | 600 | 700 | mA | |
| 正向电压 | Vf | 1.7 | 1.9 | V | |
| 上升时间 | Trise | 0.15 | ns | ||
| 下降时间 | Tfall | 0.5 | ns | ||
* RMS在1nm范围在ASE大，10pm分辨率
典型性能仅供参考
测试条件:连续工作，芯片温度25°C，外壳安装在室温散热器上
| 绝对大额定参数 | |||
| 参数 | 小值 | 大值 | 单位 |
| SLD 反向电压 | - | 2 | V |
| SLD 连续波正向电流 | - | 900 | mA |
| 热电冷却器电流 | - | 3 | A |
| 热电冷却器电压 | - | 4 | V |
| 光纤弯曲半径 | 3 | - | cm |
| 芯片工作温度范围 | 5 | 40 | °C |
| 外壳工作温度 | 0 | 70 | °C |
| 存储温度范围 | -40 | 85 | °C |
| 热敏电阻规格 | 光纤规格 | |||||||
| 参数 | 数值 | 单位 | 参数 | HI1060 | PM980 | 单位 | ||
| 热敏电阻 典型 | NTC | - | NA 典型 | 0.14 | 0.12 | |||
| 电阻 @25°C | 10 ± 0.1 | kOhm | 截止波长 | 920±50 | 900±70 | nm | ||
| Beta 0-50°C | 3375±1% | K | 模场直径@1060nm | 6.2±0.3 | 6.6±0.3 | μm | ||
|
| 包层直径 | 125±1 | 125±1 | μm | ||||
| 涂覆层直径 | 245±15 | 245±15 | μm | |||||
| 长度(每个端口) | 1.0 ± 0.1 | m | ||||||
| 接口 | FC/APC(narrow key) | |||||||
| 连接器对准熊猫型光纤:
输出光沿PM光纤的慢轴偏振。 | ||||||||
尺寸 (单位：毫米)
光纤耦合SLD典型参数
| 型号 | 平均波长 | 频宽FWHM | 输出功率 | 大波长 | 频谱下降 | 波纹，均方根值 Ripples RMS1 | 偏振消光比PER | 工作电流 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| nm | nm | mW | nm | dB | dB | dB | mA | |
| SLD-1000-100-YY-25 | 1000 | 100 | 25 | 955, 1030 | 1 | 0.02 | 20 | 600 |
| SLD-1030-120-YY-15 | 1030 | 120 | 15 | 970, 1050 | 4 | 0.02 | 20 | 550 |
| SLD-1030-20-YY-150 | 1030 | 20 | 130 | 1030 | 0.04 | 20 | 800 | |
| SLD-1050-90-YY-35 | 1050 | 90 | 35 | 1050 | 0.2 | 20 | 700 | |
| SLD-1060-20-YY-150 | 1065 | 25 | 130 | 1060 | 0.05 | 20 | 800 | |
| SLD-1060-20-YY-300 | 1060 | 20 | 300 | 1060 | 0.3 | 20 | 1600 | |
| SLD-1064-20-YY-350 | 1064 | 20 | 350 | 1164 | 18 | 750 | ||
| SLD-1080-30-YY-100 | 1080 | 30 | 100 | 1080 | 0.05 | 20 | 800 | |
| SLD-1130-20-YY-30 | 1130 | 27 | 30 | 1125 | 0.03 | 20 | 300 | |
| SLD-1140-85-YY-1 | 1140 | 85 | 1 | 1110, 1170 | 4 | 0.05 | 20 | 400 |
| SLD-1190-90-YY-1 | 1190 | 90 | 1 | 1160, 1225 | 5 | 0.02 | 20 | 300 |
| SLD-1250-110-YY-5 | 1250 | 110 | 5 | 1210, 1280 | 6 | 0.05 | 20 | 800 |
| SLD-1280-50-YY-1 | 1280 | 50 | 1 | 1280 | 0.02 | 20 | 400 |
1– @ ASE 大值，RMS 在 1 nm 范围内，10pm 分辨率
780-1330 nm范围内的任何定制波长都是可能的。
波长功率密度曲线
注意:
这种设备发出的光是看不见的，可能对人眼有害。设备运行时，避免直视光纤连接器。在连接器打开的情况下操作时，必须佩戴合适的激光安全眼镜。
绝对大额定值只能在短时间内应用于设备。长时间暴露于大额定值或暴露于一个以上的大额定值可能会导致设备损坏或影响设备的可靠性。在大额定值之外操作设备可能会导致设备故障或安全隐患。必须使用与部件一起使用的电源，以确保不会超过大正向电流。散热器上的设备需要一个合适的散热器。该装置必须使用4个螺钉（以X型方式拧紧，初始扭矩设置为0.075Nm，终X型螺栓拧紧为0.15Nm）或夹具安装在散热器上。散热器表面的平面度偏差必须小于0.05mm。建议在外壳底部和散热器之间使用铟箔或导热软材料作为热接口。为此不希望使用导热油脂避免设备背面反射。它可能会在频谱和功率稳定性方面对设备性能产生影响。它也可能造成致命的关节面损伤。强烈建议使用光学隔离器来阻挡背面反射。
不要拉动光纤。不要弯曲半径小于3厘米的光纤。在安装过程中，应始终保护光纤尖端免受任何污染或损坏。取下覆盖在光纤尖端的防尘帽后，使用光学透镜清洁纸或棉签轻轻擦拭异丙醇或乙醇，向一个方向仔细清洁光纤尖端。仅使用干净的光纤连接器操作设备。
静电放电是导致产品意外失效的主要原因。采取端预防措施，防止ESD。在设备安装过程中，必须保持ESD保护——在处理产品时使用腕带、接地工作表面和严格的防静电技术。
更新时间：2023/11/5 12:14:40
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